大浪淘沙 发表于 2025-4-21 12:06:04

英特尔18A工艺揭秘：超越Intel 3，媲美N2


英特尔在VLSI Symposium 2025上公布了备受期待的18A工艺细节。得益于PowerVia背面供电和BSPDN技术，其晶体管密度较Intel 3提升超过30%，同时在标准Arm核心上实现了25%的速度提升和36%的功耗降低，供电稳定性也得到改善。

此外，18A工艺通过背面供电释放了正面布线空间，提升了面积利用率和设计密度。其SRAM密度已达到与台积电N2工艺相当的水平。首批采用该工艺的产品将是Panther Lake处理器和Clearwater Forest至强CPU，代工客户产品最早可能于2026年面市。

Wccftech (https://wccftech.com/intels-18a-process-outperforms-intel-3-with-breakthrough-technologies)


zhangyuge 发表于 2025-4-21 12:36:43

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读者202411 发表于 2025-4-21 12:45:47

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XYZ124 发表于 2025-4-21 14:00:09

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狼鹰 发表于 2025-4-21 15:46:00

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独孤梵听 发表于 2025-4-21 23:29:21

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wusuoshishi 发表于 2025-4-22 09:00:49

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风中追枫 发表于 7 天前

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