苹果20周年纪念iPhone将搭载HBM高带宽内存技术

苹果计划在2027年发布的20周年纪念iPhone中采用先进的AI高带宽内存（HBM）技术。这项源自AI服务器的内存方案通过垂直堆叠与硅通孔（TSVs）连接，大幅提升信号传输速率，不仅提高性能，还具备卓越的能效表现和更紧凑的封装设计。

新款iPhone将首次在GPU中引入HBM，有望在设备本地运行大语言模型（LLMs）时保持高效低耗，增强“Apple Intelligence”的整体体验。

苹果主要供应商三星电子和SK海力士已在为该技术量产做准备，分别采用VCS（垂直铜柱堆叠）和VFO（垂直导线扇出）封装工艺，预计2026年量产，为2027年正式商用铺路。

不过，由于该技术成本较高，20周年iPhone可能面临价格上涨。除设计革新外，成本提升或将成为苹果调价的重要原因之一。

ETnews (https://www.etnews.com/20250514000084)

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